CVD石墨烯生長爐專門針對于用在金屬箔上生長薄膜物質(zhì)，如石墨烯、使用時(shí)把金屬箔附在內(nèi)管上。其最高工作溫度可以達(dá)到1200℃，專門針對于用CVD方法在金屬箔上生長薄膜物質(zhì)，如石墨烯、太陽能電池的電極材料和電池電極材料等。
石墨烯生長爐由HTTF1200+真空系統(tǒng)+供氣系統(tǒng)+水冷系統(tǒng)組成 ，最高溫度可以達(dá)到1200度,可以是單溫區(qū)、雙溫區(qū)、三溫區(qū)等，極限真空可以達(dá)到10-3Pa，供氣系統(tǒng)是流量調(diào)節(jié)可以是質(zhì)子流量計(jì)或浮子流量計(jì)，混氣路數(shù)可以是2路、3路、4路、5路相混合。
石墨烯生長爐是一種特殊的CVD系統(tǒng)(化學(xué)氣相沉積系統(tǒng))，是專門為在金屬箔（像銅箔、鋁箔等）上生長薄膜而設(shè)計(jì)，廣泛應(yīng)用在新一代能源關(guān)于柔性金屬箔電極方面的研究上，特別適用于碳納米管、碳納米線、石墨烯的生長。
HTTF-1200真空管式爐采用摻鉬合金加熱絲為加熱元件，采用雙層殼體結(jié)構(gòu)和宇電控溫儀表，能進(jìn)行30段程序控溫，移相觸發(fā)、可控硅控制，爐膛采用日本進(jìn)口氧化鋁多晶纖維材料，具有溫場均衡、表面溫度低、節(jié)能等優(yōu)點(diǎn)。
真空管式爐軟件控制系統(tǒng)：該爐配有通訊接口和軟件，可以直接通過電腦控制爐子的各個(gè)參數(shù)，并能從電腦上觀察到爐子上PV和SV溫度值和儀表的運(yùn)行情況，爐子的實(shí)際升溫曲線電腦會(huì)實(shí)時(shí)繪出，并能把每個(gè)時(shí)刻的溫度數(shù)據(jù)保存起來，隨時(shí)可以調(diào)出。
產(chǎn)品名稱 | 石墨烯生長爐（納米管生長爐） |
產(chǎn)品型號(hào) | HTTF-1200-CVD |
管式爐 | |
加熱區(qū)長度 | 440mm |
恒溫區(qū)長度 | 150 (+/-1 ℃) |
工作溫度 | 1100℃（此溫度為長期加熱溫度） |
最高溫度 | 1200℃ |
爐管尺寸 | Φ60×1440mm |
等離子射頻電源 | |
輸出功率 | 5 ～500W ± 1% . |
射頻頻率 | 13.56 MHz ±0.005% . |
反射功率 | 最大約200W |
阻抗匹配 | 自動(dòng) |
機(jī)組（雙極旋片泵） | |
真空度 | 10-3torr |
波紋管 | KFD25 快接，不銹鋼波紋管，手動(dòng)擋板閥與法蘭，真空泵相連. |
質(zhì)量流量計(jì) | |
四通道控制 | 精度0.02% 、數(shù)字顯示、自動(dòng)控制、 一個(gè)混氣罐、底部裝有泄廢液口 |
MFC 1范圍 | 0~100 sccm |
MFC 2和3 | 0~500 sccm |
進(jìn)氣接口 | 1/4NPS |
出氣接口 | 1/4NPS |
水冷系統(tǒng) | |
水冷法蘭要求 | 水流量 >= 10L/M ，配有專業(yè)水冷機(jī)組 |
石墨烯生長爐標(biāo)準(zhǔn)配件：
質(zhì)子混氣系統(tǒng)1臺(tái)、雙旋機(jī)械泵1臺(tái)、水冷系統(tǒng)1臺(tái)、K型熱電偶1支、氣煉石英爐管1根、不銹鋼法蘭1套、不銹鋼爐鉤1、剛玉爐塞2對、高溫手套1副、剛玉坩堝2個(gè)、說明書1份.
CVD石墨烯生長爐專門針對于用在金屬箔上生長薄膜物質(zhì)，如石墨烯、使用時(shí)把金屬箔附在內(nèi)管上。其最高工作溫度可以達(dá)到1200℃，專門針對于用CVD方法在金屬箔上生長薄膜物質(zhì)，如石墨烯、太陽能電池的電極材料和電池電極材料等。
石墨烯生長爐由HTTF1200+真空系統(tǒng)+供氣系統(tǒng)+水冷系統(tǒng)組成 ，最高溫度可以達(dá)到1200度,可以是單溫區(qū)、雙溫區(qū)、三溫區(qū)等，極限真空可以達(dá)到10-3Pa，供氣系統(tǒng)是流量調(diào)節(jié)可以是質(zhì)子流量計(jì)或浮子流量計(jì)，混氣路數(shù)可以是2路、3路、4路、5路相混合。
石墨烯生長爐是一種特殊的CVD系統(tǒng)(化學(xué)氣相沉積系統(tǒng))，是專門為在金屬箔（像銅箔、鋁箔等）上生長薄膜而設(shè)計(jì)，廣泛應(yīng)用在新一代能源關(guān)于柔性金屬箔電極方面的研究上，特別適用于碳納米管、碳納米線、石墨烯的生長。
HTTF-1200真空管式爐采用摻鉬合金加熱絲為加熱元件，采用雙層殼體結(jié)構(gòu)和宇電控溫儀表，能進(jìn)行30段程序控溫，移相觸發(fā)、可控硅控制，爐膛采用日本進(jìn)口氧化鋁多晶纖維材料，具有溫場均衡、表面溫度低、節(jié)能等優(yōu)點(diǎn)。
真空管式爐軟件控制系統(tǒng)：該爐配有通訊接口和軟件，可以直接通過電腦控制爐子的各個(gè)參數(shù)，并能從電腦上觀察到爐子上PV和SV溫度值和儀表的運(yùn)行情況，爐子的實(shí)際升溫曲線電腦會(huì)實(shí)時(shí)繪出，并能把每個(gè)時(shí)刻的溫度數(shù)據(jù)保存起來，隨時(shí)可以調(diào)出。
產(chǎn)品名稱 | 石墨烯生長爐（納米管生長爐） |
產(chǎn)品型號(hào) | HTTF-1200-CVD |
管式爐 | |
加熱區(qū)長度 | 440mm |
恒溫區(qū)長度 | 150 (+/-1 ℃) |
工作溫度 | 1100℃（此溫度為長期加熱溫度） |
最高溫度 | 1200℃ |
爐管尺寸 | Φ60×1440mm |
等離子射頻電源 | |
輸出功率 | 5 ～500W ± 1% . |
射頻頻率 | 13.56 MHz ±0.005% . |
反射功率 | 最大約200W |
阻抗匹配 | 自動(dòng) |
機(jī)組（雙極旋片泵） | |
真空度 | 10-3torr |
波紋管 | KFD25 快接，不銹鋼波紋管，手動(dòng)擋板閥與法蘭，真空泵相連. |
質(zhì)量流量計(jì) | |
四通道控制 | 精度0.02% 、數(shù)字顯示、自動(dòng)控制、 一個(gè)混氣罐、底部裝有泄廢液口 |
MFC 1范圍 | 0~100 sccm |
MFC 2和3 | 0~500 sccm |
進(jìn)氣接口 | 1/4NPS |
出氣接口 | 1/4NPS |
水冷系統(tǒng) | |
水冷法蘭要求 | 水流量 >= 10L/M ，配有專業(yè)水冷機(jī)組 |
石墨烯生長爐標(biāo)準(zhǔn)配件：
質(zhì)子混氣系統(tǒng)1臺(tái)、雙旋機(jī)械泵1臺(tái)、水冷系統(tǒng)1臺(tái)、K型熱電偶1支、氣煉石英爐管1根、不銹鋼法蘭1套、不銹鋼爐鉤1、剛玉爐塞2對、高溫手套1副、剛玉坩堝2個(gè)、說明書1份.
CVD石墨烯生長爐專門針對于用在金屬箔上生長薄膜物質(zhì)，如石墨烯、使用時(shí)把金屬箔附在內(nèi)管上。其最高工作溫度可以達(dá)到1200℃，專門針對于用CVD方法在金屬箔上生長薄膜物質(zhì)，如石墨烯、太陽能電池的電極材料和電池電極材料等。
石墨烯生長爐由HTTF1200+真空系統(tǒng)+供氣系統(tǒng)+水冷系統(tǒng)組成 ，最高溫度可以達(dá)到1200度,可以是單溫區(qū)、雙溫區(qū)、三溫區(qū)等，極限真空可以達(dá)到10-3Pa，供氣系統(tǒng)是流量調(diào)節(jié)可以是質(zhì)子流量計(jì)或浮子流量計(jì)，混氣路數(shù)可以是2路、3路、4路、5路相混合。
石墨烯生長爐是一種特殊的CVD系統(tǒng)(化學(xué)氣相沉積系統(tǒng))，是專門為在金屬箔（像銅箔、鋁箔等）上生長薄膜而設(shè)計(jì)，廣泛應(yīng)用在新一代能源關(guān)于柔性金屬箔電極方面的研究上，特別適用于碳納米管、碳納米線、石墨烯的生長。
HTTF-1200真空管式爐采用摻鉬合金加熱絲為加熱元件，采用雙層殼體結(jié)構(gòu)和宇電控溫儀表，能進(jìn)行30段程序控溫，移相觸發(fā)、可控硅控制，爐膛采用日本進(jìn)口氧化鋁多晶纖維材料，具有溫場均衡、表面溫度低、節(jié)能等優(yōu)點(diǎn)。
真空管式爐軟件控制系統(tǒng)：該爐配有通訊接口和軟件，可以直接通過電腦控制爐子的各個(gè)參數(shù)，并能從電腦上觀察到爐子上PV和SV溫度值和儀表的運(yùn)行情況，爐子的實(shí)際升溫曲線電腦會(huì)實(shí)時(shí)繪出，并能把每個(gè)時(shí)刻的溫度數(shù)據(jù)保存起來，隨時(shí)可以調(diào)出。
產(chǎn)品名稱 | 石墨烯生長爐（納米管生長爐） |
產(chǎn)品型號(hào) | HTTF-1200-CVD |
管式爐 | |
加熱區(qū)長度 | 440mm |
恒溫區(qū)長度 | 150 (+/-1 ℃) |
工作溫度 | 1100℃（此溫度為長期加熱溫度） |
最高溫度 | 1200℃ |
爐管尺寸 | Φ60×1440mm |
等離子射頻電源 | |
輸出功率 | 5 ～500W ± 1% . |
射頻頻率 | 13.56 MHz ±0.005% . |
反射功率 | 最大約200W |
阻抗匹配 | 自動(dòng) |
機(jī)組（雙極旋片泵） | |
真空度 | 10-3torr |
波紋管 | KFD25 快接，不銹鋼波紋管，手動(dòng)擋板閥與法蘭，真空泵相連. |
質(zhì)量流量計(jì) | |
四通道控制 | 精度0.02% 、數(shù)字顯示、自動(dòng)控制、 一個(gè)混氣罐、底部裝有泄廢液口 |
MFC 1范圍 | 0~100 sccm |
MFC 2和3 | 0~500 sccm |
進(jìn)氣接口 | 1/4NPS |
出氣接口 | 1/4NPS |
水冷系統(tǒng) | |
水冷法蘭要求 | 水流量 >= 10L/M ，配有專業(yè)水冷機(jī)組 |
石墨烯生長爐標(biāo)準(zhǔn)配件：
質(zhì)子混氣系統(tǒng)1臺(tái)、雙旋機(jī)械泵1臺(tái)、水冷系統(tǒng)1臺(tái)、K型熱電偶1支、氣煉石英爐管1根、不銹鋼法蘭1套、不銹鋼爐鉤1、剛玉爐塞2對、高溫手套1副、剛玉坩堝2個(gè)、說明書1份.
CVD石墨烯生長爐專門針對于用在金屬箔上生長薄膜物質(zhì)，如石墨烯、使用時(shí)把金屬箔附在內(nèi)管上。其最高工作溫度可以達(dá)到1200℃，專門針對于用CVD方法在金屬箔上生長薄膜物質(zhì)，如石墨烯、太陽能電池的電極材料和電池電極材料等。
石墨烯生長爐由HTTF1200+真空系統(tǒng)+供氣系統(tǒng)+水冷系統(tǒng)組成 ，最高溫度可以達(dá)到1200度,可以是單溫區(qū)、雙溫區(qū)、三溫區(qū)等，極限真空可以達(dá)到10-3Pa，供氣系統(tǒng)是流量調(diào)節(jié)可以是質(zhì)子流量計(jì)或浮子流量計(jì)，混氣路數(shù)可以是2路、3路、4路、5路相混合。
石墨烯生長爐是一種特殊的CVD系統(tǒng)(化學(xué)氣相沉積系統(tǒng))，是專門為在金屬箔（像銅箔、鋁箔等）上生長薄膜而設(shè)計(jì)，廣泛應(yīng)用在新一代能源關(guān)于柔性金屬箔電極方面的研究上，特別適用于碳納米管、碳納米線、石墨烯的生長。
HTTF-1200真空管式爐采用摻鉬合金加熱絲為加熱元件，采用雙層殼體結(jié)構(gòu)和宇電控溫儀表，能進(jìn)行30段程序控溫，移相觸發(fā)、可控硅控制，爐膛采用日本進(jìn)口氧化鋁多晶纖維材料，具有溫場均衡、表面溫度低、節(jié)能等優(yōu)點(diǎn)。
真空管式爐軟件控制系統(tǒng)：該爐配有通訊接口和軟件，可以直接通過電腦控制爐子的各個(gè)參數(shù)，并能從電腦上觀察到爐子上PV和SV溫度值和儀表的運(yùn)行情況，爐子的實(shí)際升溫曲線電腦會(huì)實(shí)時(shí)繪出，并能把每個(gè)時(shí)刻的溫度數(shù)據(jù)保存起來，隨時(shí)可以調(diào)出。
產(chǎn)品名稱 | 石墨烯生長爐（納米管生長爐） |
產(chǎn)品型號(hào) | HTTF-1200-CVD |
管式爐 | |
加熱區(qū)長度 | 440mm |
恒溫區(qū)長度 | 150 (+/-1 ℃) |
工作溫度 | 1100℃（此溫度為長期加熱溫度） |
最高溫度 | 1200℃ |
爐管尺寸 | Φ60×1440mm |
等離子射頻電源 | |
輸出功率 | 5 ～500W ± 1% . |
射頻頻率 | 13.56 MHz ±0.005% . |
反射功率 | 最大約200W |
阻抗匹配 | 自動(dòng) |
機(jī)組（雙極旋片泵） | |
真空度 | 10-3torr |
波紋管 | KFD25 快接，不銹鋼波紋管，手動(dòng)擋板閥與法蘭，真空泵相連. |
質(zhì)量流量計(jì) | |
四通道控制 | 精度0.02% 、數(shù)字顯示、自動(dòng)控制、 一個(gè)混氣罐、底部裝有泄廢液口 |
MFC 1范圍 | 0~100 sccm |
MFC 2和3 | 0~500 sccm |
進(jìn)氣接口 | 1/4NPS |
出氣接口 | 1/4NPS |
水冷系統(tǒng) | |
水冷法蘭要求 | 水流量 >= 10L/M ，配有專業(yè)水冷機(jī)組 |
石墨烯生長爐標(biāo)準(zhǔn)配件：
質(zhì)子混氣系統(tǒng)1臺(tái)、雙旋機(jī)械泵1臺(tái)、水冷系統(tǒng)1臺(tái)、K型熱電偶1支、氣煉石英爐管1根、不銹鋼法蘭1套、不銹鋼爐鉤1、剛玉爐塞2對、高溫手套1副、剛玉坩堝2個(gè)、說明書1份.
