垂直立式真空管式爐PECVD系統

系統(CVD)為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積法（PECVD）， 內爐膛表面涂有美國進口的高溫氧化鋁涂層可以提高設備的加熱效率，同時也可以延長儀器的使用壽命。HTTF-1200-V-PECVD多路混氣PECVD系統廣泛應用于沉積高質量SiO薄膜、Si3N4薄膜、金剛石薄膜、硬質薄膜、光學薄膜和炭納米管（CNT）等

混氣真空管式爐PECVD系統是為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，環境溫度在100-300℃，但反應氣體在輝光放電等離子體中能受激分解、離解和離化，從而大大提高了反應物的活性，這些具有反應活性的中性物質很容易被吸附到較次溫度的基本表面上，發生非平衡的化學反應沉積生成薄膜，因此這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積法（PECVD）。

HTTF-1200-V-PECVD多路混氣真空管式爐PECVD系統，由HTTF-1200單溫區管式爐、真空系統、質子流量計、射頻電源系統系統組成。

真空管式爐PECVD系統可在片狀或類似形狀樣品表面沉積SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、納米硅、SiC、類金剛石等多種薄膜，并可沉積p型、n型摻雜薄膜。沉積的薄膜具有良好的均勻性、致密性、粘附性、絕緣性。化學氣相沉積系統廣泛應用于刀具、高精模具、硬質涂層、高端裝飾等領域。

系統(CVD)為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積法（PECVD）， 內爐膛表面涂有美國進口的高溫氧化鋁涂層可以提高設備的加熱效率，同時也可以延長儀器的使用壽命。HTTF-1200-V-PECVD多路混氣PECVD系統廣泛應用于沉積高質量SiO薄膜、Si3N4薄膜、金剛石薄膜、硬質薄膜、光學薄膜和炭納米管（CNT）等

混氣真空管式爐PECVD系統是為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，環境溫度在100-300℃，但反應氣體在輝光放電等離子體中能受激分解、離解和離化，從而大大提高了反應物的活性，這些具有反應活性的中性物質很容易被吸附到較次溫度的基本表面上，發生非平衡的化學反應沉積生成薄膜，因此這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積法（PECVD）。

HTTF-1200-V-PECVD多路混氣真空管式爐PECVD系統，由HTTF-1200單溫區管式爐、真空系統、質子流量計、射頻電源系統系統組成。

真空管式爐PECVD系統可在片狀或類似形狀樣品表面沉積SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、納米硅、SiC、類金剛石等多種薄膜，并可沉積p型、n型摻雜薄膜。沉積的薄膜具有良好的均勻性、致密性、粘附性、絕緣性。化學氣相沉積系統廣泛應用于刀具、高精模具、硬質涂層、高端裝飾等領域。